Lors du démarrage de la conception d'un circuit FET, il est nécessaire de déterminer les exigences de base du circuit. Celles-ci régiront de nombreuses décisions concernant le type de topologie de circuit à utiliser et également le type de FET à utiliser.
Il peut y avoir un certain nombre de paramètres requis dans les exigences pour la conception du circuit à transistor:
Gain de tension:Le gain de tension est souvent une exigence clé. Il s'agit de la tension du signal de sortie divisée par la tension du signal d'entrée.
Gain courant:C'est le gain du circuit FET en termes de courant. Il peut être nécessaire de conduire un niveau de courant élevé dans la charge.
Impédance d'entrée:C'est l'impédance que verra l'étage précédent lorsqu'il fournira un signal à ce circuit FET en question. Les FET ont par nature une impédance d'entrée élevée vers la porte et par conséquent, les FET sont souvent utilisés là où cela est d'une importance primordiale.
Impédance de sortie:L'impédance de sortie est également importante. Si le circuit FET pilote un circuit à basse impédance, alors sa sortie doit avoir une faible impédance, sinon une chute de tension importante se produira dans l'étage de sortie du transistor.
Fréquence de réponse:La réponse en fréquence est un autre facteur important qui affectera la conception du circuit FET. Les conceptions de circuits à basse fréquence ou à transistor audio peuvent être différentes de celles utilisées pour les applications RF. De plus, le choix des valeurs du FET et du condensateur dans la conception du circuit sera grandement affecté par la réponse en fréquence requise.
Tension et courant d'alimentation:Dans de nombreux circuits, la tension d'alimentation est déterminée par ce qui est disponible. Le courant peut également être limité, en particulier si la conception du circuit FET fini doit être alimentée par batterie.
